STP13NM60N, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 71 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 11 А; Rси(вкл): 0.36 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 30 нКл
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 11 А, Сопротивление открытого канала (мин) 360 мОм

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1617507

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

2.6

Максимальный непрерывный ток стока

11 A

Максимальное рассеяние мощности

90 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Высота

15.75мм

Количество элементов на ИС

Максимальное сопротивление сток-исток

360 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.4мм

Серия

MDmesh

Типичное время задержки выключения

30 нс

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.4 x 4.6 x 15.75мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

3 нс

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

30 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

790 пФ при 50 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

11A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

90W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

...13NM60N , pdf , 985 КБ
Datasheet , pdf , 985 КБ

STP13NM60N - характеристики, поставщики

Последняя цена 71 руб.

Техническая документация