IRLML6246TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 9 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

Корпус TO236, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 4.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 46 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1617437

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.045

Максимальный непрерывный ток стока

4,1 A

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Высота

1.02мм

Количество элементов на ИС

Series

HEXFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

66 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

20 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

IRLML6246 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4.1A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 4.5V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 16V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

1.3W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.1A, 4.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

Micro3в„ў/SOT-23

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±12V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 5ВµA

Длина

3.04мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

11 ns

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.02мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

3.6 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

3.5 nC @ 4.5 V

Типичная входная емкость при Vds

290 пФ при 16 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

4.1A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.3W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.1V @ 5uA

Крутизна характеристики S,А/В

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

1.1

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

Температура, С

-55…+150

Техническая документация

IRLML6246PBF datasheet , pdf , 287 КБ
Datasheet IRLML6246TRPBF , pdf , 211 КБ
Datasheet IRLML6246TRPBF , pdf , 210 КБ

IRLML6246TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 9 руб.

Техническая документация