ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STB80N20M5 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STB80N20M5
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STB80N20M5
Последняя цена
320 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263
MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 200 В; Iс(25°C): 65 А; Rси(вкл): 17 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Pрасс: 190 Вт
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 61 А, Сопротивление открытого канала (мин) 23 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1617333
Технические параметры
Вес, г
2.11
Техническая документация
Datasheet STB80N20M5 , pdf
, 930 КБ