STP100NF04, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 40 В; Iс(25°C): 120 А; Rси(вкл): 4.6 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 110 нКл
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.6 мОм

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1616597

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.683

Максимальный непрерывный ток стока

120 А

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Высота

9.15мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

5 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.4мм

Серия

STripFET

Типичное время задержки выключения

80 нс

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.15мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

35 ns

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

110 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

5100 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet STP100NF04 , pdf , 1120 КБ

STP100NF04 - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация