IRLR3636TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 87 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252, АБ

N-LogL 60V 50A 143W 0.0068R TO252AA
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 6.8 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1616563

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

0.541

Максимальный непрерывный ток стока

99 А

Максимальное рассеяние мощности

143 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.22мм

Высота

2.39мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

8,3 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.73мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

43 нс

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

45 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

49 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

3779 pF @ 50 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 V, +16 V

Техническая документация

Datasheet IRLR3636, IRLU3636 , pdf , 384 КБ

IRLR3636TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 87 руб.

Техническая документация