IRL2910STRLPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 800, корпус: TO263, АБ

N-LogL 100V 55A 200W 0.026R D?Pak
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 55 А, Сопротивление открытого канала (мин) 26 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1616561

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.076

Максимальный непрерывный ток стока

55 А

Максимальное рассеяние мощности

200 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.65мм

Высота

4.83мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

40 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.67мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

49 нс

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.67 x 9.65 x 4.83мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

11 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

140 нКл при 5 В

Типичная входная емкость при Vds

3700 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-16 V, +16 V

Техническая документация

Datasheet IRL2910STRLPBF , pdf , 685 КБ

IRL2910STRLPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.

Техническая документация