IRFS4310ZTRLPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 800, корпус: TO263, АБ

Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 6 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1616560

Технические параметры

Вес, г

2.125

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

D2PAK (TO-263)

Transistor Material

Length

10.67mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

120 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

120A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

250W

Rds On - Drain-Source Resistance

6mО© @ 75A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 150uA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

127 A

Maximum Power Dissipation

250 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

11.3mm

Height

4.83mm

Maximum Drain Source Resistance

6 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Forward Transconductance

150s

Dimensions

10.67 x 11.3 x 4.83mm

Typical Turn-On Delay Time

20 ns

Typical Turn-Off Delay Time

55 ns

Техническая документация

Datasheet , pdf , 325 КБ

IRFS4310ZTRLPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация