IRFL024ZTRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 27 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: SOT223, АБ

HEXFET SOT-223
Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 5.1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 57.5 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1616555

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.306

Максимальный непрерывный ток стока

5,1 А

Максимальное рассеяние мощности

2,8 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.7мм

Высота

1.8мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

57 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.7мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

30 нс

Тип корпуса

SOT-223

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.8мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

7,8 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

3+Tab

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

9,1 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

340 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

IRFL024ZTRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 27 руб.