IRF7821TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 33 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13.6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9.1 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1616554

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+155 °C

Вес, г

0.183

Максимальный непрерывный ток стока

13,6 А

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

12,5 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

9,7 нс

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

6,3 нс

Производитель

Infineon

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

9,3 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

1010 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Прямая активная межэлектродная проводимость

22с

Техническая документация

Datasheet IRF7821TRPBF , pdf , 286 КБ

IRF7821TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 33 руб.

Техническая документация