IRF7478PBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 34 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 95, корпус: SOIC8, АБ

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 26 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1616553

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.17

Максимальный непрерывный ток стока

7 A

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

26 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

44 нс

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

7,7 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

21 nC @ 4.5 V

Типичная входная емкость при Vds

1740 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

IRF7478PBF Datasheet , pdf , 129 КБ

IRF7478PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 34 руб.

Техническая документация