IRF7465TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 35 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

N-CH 150V 1.9A 280mOhm SO-8
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 280 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1616552

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.19

Максимальный непрерывный ток стока

1,9 А

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

280 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

10 нс

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

7 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

5.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

10 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

330 pF @ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

1.9A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

2.5W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

150V

Vgs - Gate-Source Voltage

5.5V @ 250uA

Техническая документация

irf7465pbf , pdf , 128 КБ
IRF7465TRPBF , pdf , 130 КБ

IRF7465TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 35 руб.

Техническая документация