ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF7410GTRPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF7410GTRPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF7410GTRPBF
Последняя цена
32 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ
MOSFET, P-CH, -12V, -16A, SOIC
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 12 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 16 А, Сопротивление открытого канала (мин) 7 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1616551
Технические параметры
Вес, г
0.229
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
16A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
2.5W
Rds On - Drain-Source Resistance
7mО© @ 16A,4.5V
Transistor Polarity
P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
12V
Vgs - Gate-Source Voltage
900mV @ 250uA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 209 КБ
