PMBT5550.235, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 10000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 140 В, Ток коллектора 300 мА, Коэффициент усиления по току, min 60, Коэффициент усиления по току, max 250

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1616529

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.01

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

3 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

60 at 1 mA, 5 V, 60 at 10 mA, 5 V, 20 at 50 mA,

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.3 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

160 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

140 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

10000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4 mm

Другие названия товара №

933845720235

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

60 at 1 mA, 5 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

300 MHz

Технология

Техническая документация

Datasheet PMBT5550.235 , pdf , 179 КБ

PMBT5550.235 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация