MMBT2222A.215, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1616520

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.04

Base Product Number

MMBT2222 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

600mA

Current - Collector Cutoff (Max)

10nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

300MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

250mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

40V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

Nexperia

Maximum DC Collector Current

600mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Pd - Power Dissipation

250mW

Максимальное напряжение коллектор-база

75 V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

1 x 3 x 1.4мм

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

3мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.6 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

75 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

40 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

TO-236AB-3

Ширина

1.4мм

Другие названия товара №

MMBT2222A T/R

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

300 MHz

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Максимальный пост. ток коллектора

600 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2 V

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet MMBT2222A,215 , pdf , 128 КБ
Datasheet MMBT2222A,215 , pdf , 339 КБ

MMBT2222A.215 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация