BC846.215, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 65 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 110, Коэффициент усиления по току, max 450

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1616512

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.028

Base Product Number

BC846 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

250mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

65V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.4 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Collector Base Voltage

80 В

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

Nexperia

Maximum Power Dissipation

250 mW

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Minimum DC Current Gain

110

Максимальное напряжение коллектор-база

80 V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

1 x 3 x 1.4мм

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

3мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

100 mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

65 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4мм

Другие названия товара №

BC846 T/R

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,4 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

200 mV

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

65 V

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,9 В

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

110

Техническая документация

Datasheet , pdf , 850 КБ
Datasheet , pdf , 116 КБ

BC846.215 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация