BC848B.215, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1616476

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.028

Base Product Number

BC848 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

250mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

30V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.6 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

3mm

Maximum Collector Base Voltage

30 V

Transistor Configuration

Single

Brand

Nexperia

Maximum Collector Emitter Voltage

30 V

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Maximum Power Dissipation

250 mW

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

1.4mm

Maximum DC Collector Current

100 mA

Height

1mm

Pin Count

Dimensions

1 x 3 x 1.4mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

200

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Pd - Power Dissipation

250mW

Максимальное напряжение коллектор-база

30 V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

1 x 3 x 1.4мм

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

3мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200 at 2 mA at 5 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4мм

Другие названия товара №

BC848B T/R

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

200 at 2 mA at 5 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,6 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 V

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

0.9 V

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,9 В

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Техническая документация

Datasheet , pdf , 2004 КБ
Datasheet , pdf , 2041 КБ
BC848 datasheet , pdf , 81 КБ
Datasheet BC848B,215 , pdf , 125 КБ

BC848B.215 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация