STP14NK50Z, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 50 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 14 А; Rси(вкл): 0.38 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 14 А, Сопротивление открытого канала (мин) 380 мОм

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1616365

Технические параметры

Вес, г

2.73

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-220

Transistor Material

Length

10.4mm

Brand

STMicroelectronics

Series

MDmesh, SuperMESH

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

69 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

14A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

150W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

380mО© @ 6A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500V

Vgs - Gate-Source Voltage

4.5V @ 100uA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

14 A

Maximum Power Dissipation

150 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.6mm

Height

15.75mm

Maximum Drain Source Resistance

380 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet , pdf , 619 КБ

STP14NK50Z - характеристики, поставщики

Последняя цена 50 руб.

Техническая документация