STN2NF10, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 18 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOT223

MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 2.4 А; Rси(вкл): 0.26 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 10 нКл
Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 260 мОм

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1616363

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.253

Максимальный непрерывный ток стока

2,4 А

Максимальное рассеяние мощности

3,3 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.5мм

Высота

1.8мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

260 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.5мм

Серия

STripFET

Типичное время задержки выключения

20 ns

Тип корпуса

SOT-223

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.8мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

6 нс

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

3+Tab

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

10 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

280 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

2.4A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

3.3W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

260mО© @ 1.2A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single Dual Drain

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant with Exemption

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

2.4

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

260@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

100

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

3300

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-223

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

280@25V

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

10@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

1.8(Max)

Package Length

6.5

Package Width

3.5

Tab

Process Technology

STripFET II

Техническая документация

Datasheet STN2NF10 , pdf , 245 КБ
Datasheet , pdf , 239 КБ
Datasheet , pdf , 245 КБ

STN2NF10 - характеристики, поставщики

Последняя цена 18 руб.

Техническая документация