ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STN1HNK60 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STN1HNK60
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STN1HNK60
Последняя цена
16 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOT223
MOSFET силовой транзистор - [SOT-223]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 400 мА; Rси(вкл): 8.5 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 7 нКл
Корпус SOT-223, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 400 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 8.5 Ом
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1616361
Технические параметры
Вес, г
0.25
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SOT-223
Transistor Material
Si
Length
6.5mm
Brand
STMicroelectronics
Series
MDmesh, SuperMESH
Pin Count
3 + Tab
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.25V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
400 mA
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
3.5mm
Height
1.8mm
Maximum Drain Source Resistance
8.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single Dual Drain
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)
0.4
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
8500@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
600
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
3300
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-223
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
156@25V
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
7@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
7
Typical Fall Time (ns)
25
Typical Rise Time (ns)
5
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
19
Typical Turn-On Delay Time (ns)
6.5
Automotive
No
Military
No
Package Height
1.8(Max)
Package Length
6.5
Package Width
3.5
Tab
Tab
Process Technology
SuperMESH
Техническая документация
Datasheet STN1HNK60 , pdf
, 468 КБ
Datasheet STN1HNK60 , pdf
, 427 КБ