STF19NF20 - характеристики, поставщики

STF19NF20

Последняя цена 59 руб.

STF19NF20

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP

N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1616358

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

2.47

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Package Type

TO-220FP

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Высота

16.4мм

Количество элементов на ИС

1

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Series

STripFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

160 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

N

Длина

10.4мм

Серия

STripFET

Типичное время задержки выключения

19 нс

Тип корпуса

TO-220FP

Размеры

10.4 x 4.6 x 16.4мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

11,5 нс

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Число контактов

3

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

24 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

800 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

15A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

25W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

160mО© @ 7.5A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

200V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Maximum Power Dissipation

25 Вт

Height

16.4мм

Maximum Drain Source Resistance

160 мΩ

Техническая документация

Datasheet , pdf , 806 КБ
Datasheet STF19NF20 , pdf , 1047 КБ