STD4NK50ZT4, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 19 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 3 А; Rси(вкл): 2.7 Ом; @Uзатв(ном): 6...8 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.7 Ом

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1616356

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.548

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.2мм

Высота

2.4мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

2.7 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.6мм

Серия

MDmesh, SuperMESH

Типичное время задержки выключения

21 ns

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.6 x 6.2 x 2.4мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

12 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

310 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Техническая документация

Datasheet STD4NK50ZT4 , pdf , 666 КБ

STD4NK50ZT4 - характеристики, поставщики

Последняя цена 19 руб.

Техническая документация