ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2STD1665T4 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
2STD1665T4
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2STD1665T4
Последняя цена
15 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252
Биполярный транзистор - Примечание: TRANSISTOR, NPN DPAK
Корпус TO252
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1616290
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.6
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
150 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
2.4 x 6.6 x 6.2мм
Высота
2.4мм
Длина
6.6мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
6.2мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,6 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
15 W
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 V
Максимальный пост. ток коллектора
6 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 V
Число контактов
3
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.15 V
Производитель
STMicroelectronics
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Техническая документация
Datasheet 2STD1665T4 , pdf
, 251 КБ