PMBTA92.215, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 40, Коэффициент усиления по току, max 40

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1616174

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.044

Base Product Number

PMBTA92 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

250nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 30mA, 10V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

50MHz

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

250mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

300V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-500 mV

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 МГц

Number of Elements per Chip

Length

3мм

Maximum Collector Base Voltage

-300 V

Transistor Configuration

Одиночный

Brand

Nexperia

Maximum Collector Emitter Voltage

300 В

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

250 mW

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

1.4мм

Maximum DC Collector Current

100 мА

Height

1мм

Pin Count

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Pd - Power Dissipation

250mW

Максимальное напряжение коллектор-база

-300 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

3 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

25 at 1 mA at 10 V, 40 at 10 mA at 10 V, 25 at 30

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

300 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

300 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4 mm

Другие названия товара №

PMBTA92 T/R

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

25 at 1 mA at 10 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

50 MHz

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

300 В

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

-900 mV

Тип корпуса

SOT-23

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet PMBTA92,215 , pdf , 285 КБ
Datasheet PMBTA92,215 , pdf , 101 КБ

PMBTA92.215 - характеристики, поставщики

Последняя цена 3 руб.

Техническая документация