STB7NK80ZT4, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 65 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263

N-Channel MDmesh ™ SuperMESH ™, от 700 В до 1200 В, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1616138

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

2.07

Максимальный непрерывный ток стока

5,2 А

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

10.4мм

Высота

4.6мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

1,8 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.75мм

Серия

MDmesh, SuperMESH

Типичное время задержки выключения

45 нс

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Размеры

10.75 x 10.4 x 4.6мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

20 нс

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

40 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1138 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 936 КБ

STB7NK80ZT4 - характеристики, поставщики

Последняя цена 65 руб.

Техническая документация