BCP53-16.115, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 8 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261

Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 250

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1616124

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.254

Base Product Number

BCP53 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

145MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Pd - Power Dissipation

Максимальное напряжение коллектор-база

100 V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

1.7 x 6.7 x 3.7мм

Pd - рассеивание мощности

1000 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.7мм

Длина

6.7мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-223-3

Ширина

3.7мм

Структура

PNP

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В

100

Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В

Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

0.65

Корпус

SOT223

Другие названия товара №

933917350115

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

145 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 V

Максимальный пост. ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

145 MHz

Число контактов

Тип корпуса

SOT-223 (SC-73)

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц

145

Hfe при напряжении к-э, В

Hfe при токе коллектора, А

0.15

Диапазон рабочих температур, оС

-65...150

Статический коэффициент передачи тока hfe мин

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1830 КБ
Datasheet , pdf , 1116 КБ
Datasheet , pdf , 1720 КБ

BCP53-16.115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 8 руб.

Техническая документация