BCP53.115, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 8 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261

Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 40, Коэффициент усиления по току, max 250

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1616123

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.219

Base Product Number

BCP53 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

145MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

145 MHz

Length

6.7mm

Maximum Collector Base Voltage

100 V

Brand

Nexperia

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Maximum DC Collector Current

1 A

Height

1.7mm

Pin Count

Dimensions

1.7 x 6.7 x 3.7mm

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Pd - Power Dissipation

Конфигурация транзистора

Одинарный

Pd - рассеивание мощности

1000 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.7 mm

Длина

6.7 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

63 at 5 mA, 2 V, 63 at 150 mA, 2 V, 40 at 500 m

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-223-3

Ширина

3.7mm

Другие названия товара №

933917330115

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

63 at 5 mA, 2 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

145 MHz

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1 W

Тип корпуса

SOT-223 (SC-73)

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1830 КБ
Datasheet , pdf , 1720 КБ
Datasheet , pdf , 126 КБ
Datasheet , pdf , 137 КБ

BCP53.115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 8 руб.

Техническая документация