ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCP68.115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BCP68.115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCP68.115
Последняя цена
5 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261
Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Напряжение КЭ максимальное 20 В, Ток коллектора 2 А, Коэффициент усиления по току, min 40, Коэффициент усиления по току, max 375
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1616077
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.264
Base Product Number
BCP68 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 500mA, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
170MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power - Max
1.4W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
1A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Pd - Power Dissipation
1.4W
Максимальное напряжение коллектор-база
32 V
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
NPN
Размеры
1.7 x 6.7 x 3.7мм
Высота
1.7мм
Длина
6.7мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
3.7мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,4 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 V
Максимальный пост. ток коллектора
2 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
170 МГц
Число контактов
4
Тип корпуса
SOT-223 (SC-73)
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
50
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 2125 КБ
Datasheet , pdf
, 1524 КБ
Datasheet , pdf
, 923 КБ
