BC857C.235, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 10000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 420, Коэффициент усиления по току, max 800

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1616076

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.05

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

3 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

420 at 2 mA at 5 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.2 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

10000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4 mm

Другие названия товара №

/T3 BC857C

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

420 at 2 mA at 5 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Техническая документация

Datasheet , pdf , 206 КБ

BC857C.235 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация