ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PHP20NQ20T.127 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
PHP20NQ20T.127
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
PHP20NQ20T.127
Последняя цена
62 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220
Корпус TO-220-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 130 мОм
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1616075
Технические параметры
Вес, г
2.806
Series
TrenchMOSв„ў ->
Base Product Number
PHP20NQ20 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2470pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 10A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Техническая документация
Datasheet PHP20NQ20T,127 , pdf
, 310 КБ
