ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSR33.115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BSR33.115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BSR33.115
Последняя цена
13 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO243
Корпус TO243, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1616050
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.195
Transistor Type
PNP
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
1A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Pd - Power Dissipation
1.35W
Максимальное напряжение коллектор-база
-90 V
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
PNP
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Pd - рассеивание мощности
1350 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.6мм
Длина
4.6мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
1 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
90 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-89-3
Ширина
2.6мм
Другие названия товара №
BSR33 T/R
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-0.5 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,35 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-89
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-1.2 V
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 116 КБ
Datasheet BSR33.115 , pdf
, 179 КБ
Datasheet , pdf
, 309 КБ