ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCW70.215 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BCW70.215
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCW70.215
Последняя цена
4 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 215, Коэффициент усиления по току, max 500
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1616043
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.036
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
3мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
215 at 2 mA at 5 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.1 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.4мм
Другие названия товара №
BCW70 T/R
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
215 at 2 mA at 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.3 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,81 В
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
215
Техническая документация
Datasheet BCW70,215 , pdf
, 651 КБ
