ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD1NK60T4 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD1NK60T4
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD1NK60T4
Последняя цена
16 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8.5 Ом
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1615997
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.589
Максимальный непрерывный ток стока
1 A
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.2мм
Высота
2.4мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
8.5 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Pin Count
3
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
6.6мм
Серия
MDmesh, SuperMESH
Типичное время задержки выключения
19 ns
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Размеры
6.6 x 6.2 x 2.4мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
6,5 нс
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.25V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
7 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
156 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
1A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
30W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
8.5О© @ 500mA,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600V
Vgs - Gate-Source Voltage
3.7V @ 250uA
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)
1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
8500@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
600
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
30000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
Active
PCB changed
2
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-252
Supplier Package
DPAK
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
156@25V
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
7@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
7
Typical Fall Time (ns)
25
Typical Rise Time (ns)
5
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
19
Typical Turn-On Delay Time (ns)
6.5
Automotive
No
Military
No
Package Height
2.4(Max)
Package Length
6.6(Max)
Package Width
6.2(Max)
Tab
Tab
Process Technology
SuperMESH
Техническая документация
Datasheet STD1NK60T4 , pdf
, 1177 КБ
Datasheet , pdf
, 428 КБ
Datasheet STD1NK60T4 , pdf
, 438 КБ
