IRFB3806PBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 40 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 43 А, Сопротивление открытого канала (мин) 15.8 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1615813

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.637

Максимальный непрерывный ток стока

43 А

Максимальное рассеяние мощности

71 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.82мм

Высота

9.02мм

Количество элементов на ИС

Series

HEXFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

16 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

IRFB3806 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

43A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 50V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

71W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.8mOhm @ 25A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 50ВµA

Длина

10.66мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

49 нс

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.66 x 4.82 x 9.02мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

6,3 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

22 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1150 пФ при 50 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

43A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

71W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 50uA

Техническая документация

IRFB3806PBF datasheet , pdf , 499 КБ
Datasheet IRFB3806PBF , pdf , 574 КБ
Datasheet , pdf , 565 КБ

IRFB3806PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 40 руб.

Техническая документация