IRF7410TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 61 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOIC8, АБ

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 12 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 16 А, Сопротивление открытого канала (мин) 7 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1615762

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.185

Максимальный непрерывный ток стока

16 A

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

4мм

Высота

1.5мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

13 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

5мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

271 нс

Тип корпуса

SOIC

Размеры

5 x 4 x 1.5мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

13 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

0.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

91 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

8676 pF @ -10 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-8 В, +8 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

16A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

2.5W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

12V

Vgs - Gate-Source Voltage

900mV @ 250uA

Техническая документация

Datasheet IRF7410 , pdf , 181 КБ
Datasheet IRF7410TRPBF , pdf , 211 КБ

IRF7410TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 61 руб.

Техническая документация