STP55NF06FP, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 40 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 50 А; Rси(вкл): 15 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 20 В
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 18 мОм

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1615630

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.462

Максимальный непрерывный ток стока

50 A

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Высота

9.3мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

18 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.4мм

Серия

STripFET II

Типичное время задержки выключения

36 ns

Тип корпуса

TO-220FP

Размеры

10.4 x 4.6 x 9.3мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

20 ns

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

44,5 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1300 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

STP55NF06 , pdf , 794 КБ

STP55NF06FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 40 руб.

Техническая документация