ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BF820.215 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BF820.215
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BF820.215
Последняя цена
5 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236
Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 50 мА, Коэффициент усиления по току, min 50, Коэффициент усиления по току, max 50
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1615590
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.036
Base Product Number
BF820 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 25mA, 20V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
60MHz
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
250mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
50mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300V
Pd - Power Dissipation
250mW
Максимальное напряжение коллектор-база
300 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Высота
1мм
Длина
3мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
600 мВ
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Максимальный пост. ток коллектора
50 мА
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
50
Техническая документация
BF820, BF822 NPN high-voltage transistors , pdf
, 51 КБ
Datasheet BF820,215 , pdf
, 100 КБ
Datasheet , pdf
, 283 КБ