ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STW42N65M5 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STW42N65M5
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STW42N65M5
Последняя цена
610 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247
MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 650 В; Iс(25°C): 33 А; Rси(вкл): 79 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 100 нКл
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 650 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 33 А, Сопротивление открытого канала (мин) 79 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1615573
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
6.54
Максимальный непрерывный ток стока
33 А
Максимальное рассеяние мощности
190 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.15мм
Высота
20.15мм
Количество элементов на ИС
1
Series
MDmeshв„ў V ->
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
79 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Pin Count
3
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Base Product Number
STW42 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
33A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4650pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
Power Dissipation (Max)
190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
79mOhm @ 16.5A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250ВµA
Длина
15.75мм
Серия
MDmesh M5
Типичное время задержки выключения
65 нс
Other Related Documents
http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Тип корпуса
TO-247
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
61 нс
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
100 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
4650 пФ при 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В, +25 В
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
33A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
190W
Rds On - Drain-Source Resistance
79mО© @ 16.5A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
650V
Vgs - Gate-Source Voltage
5V @ 250uA
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Lead Shape
Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)
33
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
79@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
650
Maximum Gate Source Voltage (V)
±25
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
190000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Through Hole
Packaging
Tube
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-247
Supplier Package
TO-247
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
4650@100V
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
100@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
100
Typical Fall Time (ns)
13
Typical Rise Time (ns)
24
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
65
Typical Turn-On Delay Time (ns)
61
Automotive
No
Military
No
Package Height
20.15(Max)
Package Length
15.75(Max)
Package Width
5.15(Max)
Tab
Tab
Process Technology
MDmesh V
Material
Si
Техническая документация
stb42n65m5-1850229 , pdf
, 973 КБ
Datasheet , pdf
, 990 КБ
Datasheet STW42N65M5 , pdf
, 1096 КБ
Datasheet STW42N65M5 , pdf
, 1096 КБ
