ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MW6S004NT1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
MW6S004NT1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
MW6S004NT1
Последняя цена
1260 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 1, корпус: PLD15
РЧ МОП-транзисторы HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1615569
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.367
Ширина
5.97 mm
Высота
1.83 mm
Минимальная рабочая температура
65 C
Vds - напряжение пробоя сток-исток
68 V
Vgs - напряжение затвор-исток
12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Длина
6.73 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
РЧ МОП-транзисторы
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
MW6S004NT1
Технология
Si
Тип продукта
RF MOSFET Transistors
Торговая марка
NXP / Freescale
Упаковка / блок
PLD-1.5-3
Выходная мощность
4 W
Рабочая частота
2 GHz
Усиление
18 dB
Техническая документация
Datasheet MW6S004NT1 , pdf
, 546 КБ
Datasheet MW6S004NT1 , pdf
, 545 КБ
