ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRLP3034PBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRLP3034PBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRLP3034PBF
Последняя цена
270 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 25, корпус: TO247AC, АБ
Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 195 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.7 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1615546
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
7.038
Максимальный непрерывный ток стока
327 A
Максимальное рассеяние мощности
341 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.31мм
Высота
20.7мм
Количество элементов на ИС
1
Series
HEXFETВ® ->
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
2 MΩ
Максимальное напряжение сток-исток
40 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Base Product Number
IRLP3034 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
195A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
162nC @ 4.5V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
10315pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
Power Dissipation (Max)
341W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 195A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-247AC
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250ВµA
Длина
15.87мм
Серия
HEXFET
Типичное время задержки выключения
97 нс
Тип корпуса
TO-247AC
Размеры
15.87 x 5.31 x 20.7мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
65 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
108 нКл при 4,5 В
Типичная входная емкость при Vds
10315 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
IRLP3034PBF datasheet , pdf
, 324 КБ
Datasheet IRLP3034PBF , pdf
, 315 КБ
Datasheet IRLP3034PBF , pdf
, 306 КБ
