ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD2HNK60Z-1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD2HNK60Z-1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD2HNK60Z-1
Последняя цена
20 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 75, корпус: TO251
MOSFET силовой транзистор - [TO-251-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 2 А; Rси(вкл): 4.8 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В
Корпус TO251, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.8 Ом
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1615529
Технические параметры
Вес, г
0.769
Pin Count
3
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
2A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
45W
Rds On - Drain-Source Resistance
4.8О© @ 1A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600V
Vgs - Gate-Source Voltage
4.5V @ 50uA
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Lead Shape
Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)
2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
4800@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
600
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
45000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Through Hole
Packaging
Tube
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-251
Supplier Package
IPAK
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
280@25V
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
11@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
11
Typical Fall Time (ns)
50
Typical Rise Time (ns)
30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
13
Typical Turn-On Delay Time (ns)
10
Automotive
No
Military
No
Package Height
6.2(Max)
Package Length
6.6(Max)
Package Width
2.4(Max)
Tab
Tab
Process Technology
SuperMESH
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 885 КБ
Datasheet STD2HNK60Z1 , pdf
, 900 КБ
