ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD3NK100Z - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD3NK100Z
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD3NK100Z
Последняя цена
69 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 1 кВ; Iс(25°C): 2.5 А; Rси(вкл): 6 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 18 нКл
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 1 кВ, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 6 Ом
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1615435
Технические параметры
Вес, г
0.577
Техническая документация
Datasheet STD3NK100Z , pdf
, 418 КБ
