BCP56.115, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 8 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261

Корпус TO261, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 1.35 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 40, Коэффициент усиления по току, max 250

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1615264

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.218

Base Product Number

BCP56 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

180MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

960mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

1.2A

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Pd - Power Dissipation

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Тип монтажа

Surface Mount

Тип транзистора

NPN

Размеры

1.7 x 6.7 x 3.7мм

Pd - рассеивание мощности

960 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.7мм

Длина

6.7мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

63 at 5 mA at 2 V, 63 at 150 mA at 2 V, 40 at 500

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-223-4

Ширина

3.7мм

Другие названия товара №

BCP56 T/R

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

63 at 5 mA at 2 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

180 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

960 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 V

Максимальный пост. ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

180 MHz

Число контактов

Тип корпуса

SOT-223 (SC-73)

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

BCP56_BCX56_BC56PA , pdf , 1114 КБ
Datasheet , pdf , 1739 КБ
Datasheet , pdf , 1125 КБ

BCP56.115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 8 руб.

Техническая документация