ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IKW25T120FKSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IKW25T120FKSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IKW25T120FKSA1
Последняя цена
390 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247, АБ
Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ, Ток коллектора максимальный при 25°C 50 А, Напряжение насыщения К-Э 2.2 В, Максимальная мощность 190 Вт, Заряд затвора 155 нКл, Тип входа стандартный
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1615253
Технические параметры
Производитель
Infineon
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
Infineon
Package Type
TO-247
Base Product Number
IKW25T120 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO247-3
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 В
Maximum Continuous Collector Current
50 А
Maximum Power Dissipation
190 Вт
Energy Rating
7mJ
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Width
5.21mm
Height
21.1мм
Pin Count
3
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Gate Capacitance
1860pF
Длина
16.13мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Максимальное рассеяние мощности
190 Вт
Номинальная энергия
7mJ
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
21.1мм
Число контактов
3
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Емкость затвора
1860пФ
Current - Collector (Ic) (Max)
50A
Current - Collector Pulsed (Icm)
75A
Gate Charge
155nC
Power - Max
190W
Switching Energy
4.2mJ
Td (on/off) @ 25В°C
50ns/560ns
Test Condition
600V, 25A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Тип канала
N
Reverse Recovery Time (trr)
200ns
Максимальная рабочая температура
+150 °C
IGBT Type
NPT, Trench Field Stop
Ширина
5.21мм
Конфигурация
Single
Вес, г
7.975
Pd - рассеивание мощности
190 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.7 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
50 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
240
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
600 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-247-3
Другие названия товара №
IKW25T120 SP000013939
Серия
Trenchstop IGBT3
Технология
Si
Series
TrenchStopВ® ->
Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
Техническая документация
Datasheet IKW25T120FKSA1 , pdf
, 512 КБ
Datasheet IKW25T120FKSA1 , pdf
, 513 КБ
