ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF520NPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF520NPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF520NPBF
Последняя цена
44 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 200 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1615248
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
2.838
Максимальный непрерывный ток стока
9,7 А
Максимальное рассеяние мощности
48 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.69мм
Высота
8.77мм
Количество элементов на ИС
1
Series
HEXFETВ® ->
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
200 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Base Product Number
IRF520 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
9.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation (Max)
48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 5.7A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250ВµA
Длина
10.54мм
Серия
HEXFET
Типичное время задержки выключения
32 нс
Тип корпуса
TO-220AB
Размеры
10.54 x 4.69 x 8.77мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
4.5 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
25 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
330 pF@ 25 V
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
IRF520N Datasheet , pdf
, 123 КБ
Datasheet IRF520NPBF , pdf
, 183 КБ
Datasheet IRF520NPBF , pdf
, 174 КБ
