IRF1324PBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 81 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 12 В до 25 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает в себя N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1615191

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.816

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

353 A

Package Type

TO-220AB

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.83мм

Высота

9.02мм

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Series

HEXFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

2 MΩ

Максимальное напряжение сток-исток

24 В

Typical Gate Charge @ Vgs

160 нКл при 10 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Base Product Number

IRF1324 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

195A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

24V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

240nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

7590pF @ 24V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 195A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Структура

N-канал

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А

195

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт

300

Корпус

TO220AB

Длина

10.67мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

83 нс

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.67 x 4.83 x 9.02мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

17 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

160 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

7590 пФ при 24

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

195A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

300W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

24V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Maximum Continuous Drain Current

353 A

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.83мм

Maximum Drain Source Voltage

24 V

Channel Mode

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

Крутизна характеристики S,А/В

180

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм

1.5

Температура, С

-55…+175

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

IRF1324PBF datasheet , pdf , 477 КБ
Datasheet IRF1324PBF , pdf , 461 КБ
Datasheet IRF1324PBF , pdf , 452 КБ

IRF1324PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 81 руб.

Техническая документация