PUMD9.115, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TSSOP6

Корпус TSSOP6, Тип проводимости и конфигурация NPN/PNP, Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 100

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1614854

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN, PNP

Вес, г

0.043

Base Product Number

P*MD9 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

1ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 5V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

6-TSSOP

Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250ВµA, 5mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Transistor Configuration

Изолированный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN, PNP

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

2.2мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Конфигурация

Dual

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-363-6

Ширина

1.35мм

Другие названия товара №

PUMD9 T/R

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,1 В

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 V

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 V

Число контактов

Тип корпуса

UMT

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 mA

Типичный входной резистор

10 кΩ

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

10 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

0.21

Типичный коэффициент резистора

0.21

Resistor - Base (R1)

10kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

47kOhms

Количество каналов

2 Channel

Техническая документация

Datasheet PEMD9, PUMD9 , pdf , 1059 КБ
Datasheet , pdf , 921 КБ

PUMD9.115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 3 руб.

Техническая документация