ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STGD3NB60SDT4 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STGD3NB60SDT4
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
STGD3NB60SDT4
Последняя цена
47 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1614792
Технические параметры
Pin Count
3
Channel Type
N
Configuration
Single
Вес, г
0.509
Packaging
Tape and Reel
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
600
Maximum Gate Emitter Voltage (V)
±20
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)
1.2
Maximum Continuous Collector Current (A)
6
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)
0.1
Maximum Power Dissipation (mW)
48000
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
175
Automotive
Yes
Supplier Package
DPAK
Standard Package Name
TO-252
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
2.4(Max)
Package Length
6.6(Max)
Package Width
6.2(Max)
PCB changed
2
Tab
Tab
Lead Shape
Gull-wing
HTS
8504.40.60.18
AEC Qualified Number
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet STGD3NB60SDT4 , pdf
, 314 КБ
