BC817W.115, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1614745

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.038

Base Product Number

BC817 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

500mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

200mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0,7 В

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 MHz

Number of Elements per Chip

Length

2.2мм

Maximum Collector Base Voltage

50 V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

Nexperia

Maximum Collector Emitter Voltage

45 V

Package Type

UMT

Maximum Power Dissipation

200 mW

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

1.35мм

Maximum DC Collector Current

500 mA

Pin Count

Dimensions

1 x 2.2 x 1.35мм

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Pd - Power Dissipation

200mW

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

2.2 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.5 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC817

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-323-3

Ширина

1.35 mm

Другие названия товара №

934021910115

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Техническая документация

BAS40 series; 1PSxxSB4x series General-purpose Schottky diodes Datasheet , pdf , 218 КБ
Datasheet , pdf , 275 КБ
BC817W_SER-1598709 , pdf , 277 КБ
Datasheet , pdf , 237 КБ

BC817W.115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация