IGT60R190D1SATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 460 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: PGHSOF8, АБ

Корпус PGHSOF8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 12.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 190 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1614673

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.85

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

12.5 A

Pd - рассеивание мощности

55.5 W

Qg - заряд затвора

3.2 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

190 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

0.9 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

5 ns

Время спада

12 ns

Другие названия товара №

SP001701702

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolGaN

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2000

Технология

GaN

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

12 ns

Типичное время задержки при включении

11 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

PG-HSOF-8

Упаковка

Reel, Cut Tape

Техническая документация

Datasheet IGT60R190D1SATMA1 , pdf , 513 КБ

IGT60R190D1SATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 460 руб.

Техническая документация