IGO60R070D1AUMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2480 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 15, корпус: PGDSO20, АБ

Корпус PGDSO20, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 70 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1614672

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

7.857

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

31 A

Pd - рассеивание мощности

125 W

Qg - заряд затвора

5.8 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

70 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

0.9 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

7 ns

Время спада

10 ns

Другие названия товара №

SP001300362

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolGaN

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

800

Технология

GaN

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

11 ns

Типичное время задержки при включении

13 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

PG-DSO-20

Упаковка

Reel, Cut Tape

Техническая документация

Datasheet IGO60R070D1AUMA1 , pdf , 499 КБ

IGO60R070D1AUMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2480 руб.

Техническая документация